在化學周期表中，鑭系元素與釔、鈧組成的 17 種稀土元素，憑借 “微量優(yōu)化材料性能” 的特性，被譽為 “工業(yè)維生素”。在半導體產(chǎn)業(yè)中，稀土貫穿設(shè)備制造、材料研發(fā)、先進工藝全鏈條，其作用不可替代。
設(shè)備級支撐：EUV 光刻機的晶圓臺依賴釹鐵硼（NdFeB）永磁體實現(xiàn)納米級精度運動，單臺設(shè)備需數(shù)十公斤稀土磁鋼。光源系統(tǒng)中，釹摻雜釔鋁石榴石（Nd:YAG）晶體用于輔助激光檢測，而鋱鎵石榴石（TGG）晶體則是光學隔離器的核心材料。材料創(chuàng)新突破：氧化鈰（CeO?）拋光劑在化學機械拋光（CMP）中對 SiO?的選擇性去除率是傳統(tǒng)磨料的 3 倍以上；氧化釔（Y?O?）涂層可將刻蝕機部件壽命延長 5 倍。先進制程關(guān)鍵：在 3nm 以下節(jié)點，鑭摻雜的 HfO?高 k 介質(zhì)材料可降低晶體管閾值電壓 20%，顯著提升能效比。
2025 年 10 月 9 日，中國商務(wù)部發(fā)布新規(guī)，對涉及 14nm 以下邏輯芯片、256 層以上存儲芯片的稀土出口實施逐案審批，并首次將稀土二次資源回收技術(shù)納入管制范圍。此舉直接沖擊三星、SK 海力士等國際巨頭的擴產(chǎn)計劃，據(jù)測算可能導致全球高端芯片產(chǎn)能增速放緩 15%。與此同時，國內(nèi)稀土產(chǎn)業(yè)鏈加速自主化：北方稀土的高性能釹鐵硼磁鋼已通過 ASML 認證，用于下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機；有研稀土研發(fā)的氧化銪（Eu?O?）薄膜，實現(xiàn)與 CMOS 工藝兼容的硅基發(fā)光器件，打破國外在光電子集成領(lǐng)域的壟斷。
作為中國半導體行業(yè)年度盛會， 第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025） 將于 11 月 23-25 日在北京國家會議中心舉辦，首次設(shè)立 “稀土半導體材料與設(shè)備專區(qū)”，集中展示稀土在芯片制造各環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應(yīng)用。核心亮點前瞻：
政策與產(chǎn)業(yè)聯(lián)動：展會期間將舉辦 “稀土 - 半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展論壇”，工信部相關(guān)負責人將解讀最新管制政策，華為海思、長江存儲等龍頭企業(yè)將分享稀土材料的國產(chǎn)化替代進展。
稀土元素正從 “幕后” 走向 “臺前”，成為半導體產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵變量。IC China 2025 作為產(chǎn)業(yè)風向標，將集中呈現(xiàn)稀土技術(shù)的最新突破與應(yīng)用場景，為全球半導體從業(yè)者提供洞察未來的窗口。隨著中國在稀土資源與技術(shù)領(lǐng)域的雙重發(fā)力，一場由 “工業(yè)維生素” 驅(qū)動的科技革命正在悄然開啟。展會信息速覽
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